SRAM工艺与密度扩展 2026-08-13
早期平面晶体管时代，器件尺寸的等比缩小直接转化为SRAM位单元面积的缩减，这一趋势与Dennard缩放定律相伴而行。但进入深亚微米节点后，晶体管沟道长度缩短引发了两大棘手问题：一是亚阈值漏电急剧攀升，即便处于关断状态，电流泄漏也难以忽略；二是器件参数波动加剧，导致6T单元中双稳态锁存器的噪声容限下降，位翻转错误概率上升。这些因素共同制约了传统缩放路径的可持续性。
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